Владимир Максимович Тучкевич

Владимир Максимович Тучкевич

Владимир Максимович Тучкевич (1904—1997) — физик, академик РАН (1970). Директор Ленинградского физико-технического института (1967—87). Труды по физике и технике полупроводников. Под руководством Тучкевича разработаны первые отечественные кремниевые и германиевые диоды и триоды. Один из создателей производства силовых полупроводниковых приборов (Ленинская премия, 1966). Разработал противоминную защиту кораблей (совместно с другими; Государственная премия СССР, 1942).Засл. деят. науки и техники РСФСР (1966). Гл. ред. “Журнала технической физики” (1980—87). Автор более 150 науч. работ и 18 изобретений. Лауреат Ленинской (1966), Сталинской (1942) премий. Награждён орд. Ленина (1954, 1974), Труд. Кр. Знамени (1959).Герой Социалистического Труда (1984).

Родился 16 (29 декабря) 1904 года в селе Яновцы (Яноуцы) (ныне — село Ивановцы, Кельменецкий район, Черновицкая область, Украина). Учился в реальном училище, затем в школе в городе Уфе. В ноябре 1919 года, не окончив школу, вступил добровольцем в ряды РККА. Был начальником военно-санитарного поезда, учился в Военно-пехотной школе и одновременно на подготовительных курсах для поступления в вуз. В 1924 году был демобилизован.

А. Самохвалов. Советы и электрофикация есть основа нового мира! 1924

В том же году поступил на физико-математический факультет КГУ имени Т. Г. Шевченко. Будучи студентом, с 1927 года работал в Рентгеновском институте. После окончания университета в 1928 году учился в аспирантуре. Одновременно работал в Метеорологическом институте, организовал и возглавил физическую лабораторию в Харьковском рентгенологическом институте. В 1931— 1935 годах работал преподавателем в Харьковском электротехническом институте.

С 1935 года жил в Ленинграде, где работал в Ленинградском физико-техническом институте АН СССР (ЛФТИ). Был научным сотрудником, старшим научным сотрудником, учёным секретарём и заведующим лабораторией. В этом же году продолжил преподавательскую деятельность в ЛПИ им. М. И. Калинина, сначала был доцентом кафедры физики, затем профессором кафедры экспериментальной физики. В 1939 году защитил кандидатскую диссертацию. Основные научные интересы Тучкевича были связаны с физикой полупроводников и созданием полупроводниковых приборов.

В годы войны работал в группе А. П. Александрова по защите кораблей от магнитных мин на Балтийском и Северном морях. Сотрудничал с И. В. Курчатовым, Б. Е. Годзевичем и с другими знаменитыми учёными. В первые годы после окончания войны руководил исследованиями, связанными с разделением изотопов тяжелых элементов. С 1949 года в ЛФТИ возглавлял сектор, где занимался разработкой методов получения чистых монокристаллов германия и кремния, приведших к разработке в 1952 году первых германиевых плоскостных диодов и транзисторов.

Шульга Иван Николаевич (1889-1956) «Харьков. Вокзал Южной железной дороги» 1933

В 1951 году Тучкевич выдвинул идею создания полупроводниковых приборов на большие токи и напряжения, руководил разработкой мощных германиевых и кремниевых диодов. В лаборатории Тучкевича младшим научным сотрудником работал будущий лауреат Нобелевской премии по физике — Жорес Алфёров. В 1952 году вступил в КПСС. В 1956 году защитил докторскую диссертацию.

В 1968 году избран членом-корреспондентом, а в 1970 году Тучкевич стал действительным членом АН СССР. В 1967 — 1986 годах был директором ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР.

Вощинин Алексей Николаевич (1929-2007) «В кабинете» 1970-е

Был одним из академиков АН СССР, подписавших в 1973 году письмо учёных в газету «Правда» с осуждением «поведения академика А. Д. Сахарова». В письме Сахаров обвинялся в том, что он «выступил с рядом заявлений, порочащих государственный строй, внешнюю и внутреннюю политику Советского Союза», а его правозащитную деятельность академики оценивали как «порочащую честь и достоинство советского ученого».

Руководил комплексной программой по широкому использованию силовой полупроводниковой преобразовательной техники в народном хозяйстве страны. Участвовал в разработках, связанных с возможностью контроля и управления конверторами с кислородным дутьем, используемых в производстве черных и цветных металлов. В 1983 году сформировал в ЛПИ имени М. И. Калинина кафедру «Физика полупроводниковых приборов» и возглавил её на общественных началах.

НХ «Учёные» 1974

С 1987 года — заведующий группой Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, стал советником Президиума РАН, советник при дирекции института, заведующий кафедрой Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Научные работы Тучкевича относятся в основном к физике и технике полупроводников. Его исследования привели к разработке принципов получения германиевых плоскостных диодов и триодов, фотоэлементов и фотодиодов. В лаборатории Тучкевича в Физико-техническом институте были разработаны первые в нашей стране германиевые и кремниевые диоды и триоды. Совместно с Б. М. Вулом и С. Г. Калашниковым заложил основы советской полупроводниковой промышленности, создал новое направление — силовую полупроводниковую технику, разработав силовые полупроводниковые.

Неоднократно избирался членом Ленинградского обкома КПСС (1970—1976 годы), членом Ленинградского горкома КПСС (1968—1970 и 1976—1980 годы). Жил в городе Санкт-Петербурге. Умер 24 июля 1997 года.

Герой Соц.Труда Тучкевич В.М. Фото на сайте Википедия

Лит.: Кудашев Р.Х. Науки юношей питают… //Вестник Академии наук Республики Башкортостан. 2005. Т.10. №2.
Тучкевич Владимир Максимович // Энциклопедический словарь. 2009.
Тучкевич, Владимир Максимович // Материал из Википедии — свободной энциклопедии